Chip VTFET de Intel y Samsung que podría alargar la batería del móvil una semana
IBM y Samsung anunciaron conjuntamente en la feria “International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, el novedoso chip VTFET o Transistor de efecto de campo de transporte vertical (de las siglas en inglés de Vertical Transport Field Effect Transistors), que han desarrollado juntos en el complejo de nanotecnología de Albany en Nueva York, el cual podría ser el siguiente paso en el mundo de la nanotecnología, ya que estiman que podría alargar a una semana completa la duración de la batería de los teléfonos.
El chip VTFET de Intel y Samsung presenta en su núcleo una arquitectura vertical, en lugar del método plano (horizontal) habitual, de modo que apila los transistores de un chip en perpendicular para que la corriente eléctrica fluya de forma vertical.
En esa nueva configuración está la clave de la mejora. Al apilar transistores uno encima del otro como en procesadores, el chip VTFET es capaz de elevar drásticamente el techo en términos de la cantidad de transistores que se pueden empaquetar en un área de superficie pequeña, por lo que permite aprovechar mejor el espacio. Además, también mejora los puntos de contacto del transistor, logrando un mayor flujo de corriente con menos energía desperdiciada. Así, el nuevo diseño del chip VTFET reduce el consumo energético manteniendo un flujo de corriente alto, es decir, gasta muchísima menos energía, por lo que su uso en dispositivos móviles alargaría la duración de la batería de este hasta una semana. Según las compañías, “los chips VTFET podrían ofrecer una mejora dos veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85 por ciento en el uso de energía. Un hardware de alto rendimiento y bajo consumo de energía representaría un gran impulso para la Internet de las cosas (IoT)”.
Asimismo, las mejoras del nuevo chip también incluirían campos como la minería de criptomonedas o el cifrado de datos con menor consumo de energía.
Y por otro lado, el nuevo diseño del chip VTFET permite ir más allá de la Ley de Moore, que establece que cada dos años deben duplicarse los transistores de un circuito integrado, lo que con el tiempo ha permitido tener ordenadores más potentes al tiempo que más pequeños y económicos. Y aunque parecía que esta ley iba a estancarse debido a que no se pueden hacer componentes más pequeños, el chip VTFET hará que se mantenga el ritmo.
Fuentes: Gizmodo, Computer Hoy y El Mundo Pixel
