UltraRAM: el futuro del almacenamiento híbrido de RAM + SSD
Las nuevas técnicas de fabricación de chips, discos duros SSD más rápidos y el uso de inteligencia artificial y del aprendizaje automático, son algunas de las últimas innovaciones que ayudan a aumentar el rendimiento y la eficiencia de los ordenadores modernos. Pero ahora, un equipo de investigación del Departamento de Física e Ingeniería de la Universidad de Lancaster en Reino Unido, podría haber dado con el último gran invento capaz de revolucionar el mercado: la UltraRAM, la cual combina lo mejor de la memoria RAM y del almacenamiento SSD en un solo componente, para ofrecer una versión ultrarrápida de la RAM que no descarga los datos cuando se apaga.
La RAM, siglas de Random Access Memory, es la memoria (volátil) que utiliza el ordenador, Tablet o móvil, para almacenar los datos que ocupa con frecuencia, pero que desaparecen una vez que el dispositivo se apaga. Mientras que el almacenamiento, es la memoria (no volátil) en la que se alojan los archivos y que permanecen disponibles aun cuando el equipo se queda sin energía. Hace algunos años se usaban discos duros, pero hoy día el almacenamiento se realiza en unidades flash de estado sólido (SSD o Solid State Drive). Cada vez que abres un archivo o inicias un programa, los datos salen de tu SSD (o HDD) y se aprovechan de la RAM para transferirse rápidamente a la CPU.
Precisamente, debido a que actualmente el almacenamiento se realiza en memoria flash, algunos usuarios optan por utilizar su SSD como RAM auxiliar. Sin embargo, esto no se ofrece porque incluso las opciones de almacenamiento más rápidas, son mucho más lentas que la DRAM. Por tanto, por el momento, usamos el almacenamiento y la RAM por separado.
Ahora, los científicos de la Universidad de Lancaster (Reino Unido) han descrito en un trabajo lo que sería una “memoria universal”, una versión de RAM no volátil llamada UltraRAM y que se define como “una memoria no volátil con el potencial de lograr un almacenamiento de electrones rápido y de energía ultrabaja”, que es capaz de combinar la no volatilidad de la memoria de almacenamiento de datos tradicional, con la velocidad, la eficiencia energética y la resistencia de una memoria de trabajo; y “a la que se accede a través de una heteroestructura de túnel resonante de triple barrera”.
En términos de rendimiento, los investigadores indicaron que la UltraRAM es capaz de ofrecer tiempos de almacenamiento de datos de, por lo menos, 1000 años, una resistencia sin degradación de más de 10000000 ciclos de programación y borrado, y una energía de conmutación inferior que las DRAM y flash.
La UltraRAM se basa en las propiedades únicas de los semiconductores compuestos, comúnmente utilizados en dispositivos fotónicos como los LED, los láseres y los detectores de infrarrojos, que ahora pueden producirse en masa.
Así pues, la UltraRAM podría ser el tipo de memoria universal que algún día satisfaga todas las necesidades de memoria, tanto de RAM como de almacenamiento, de los PC y dispositivos tecnológicos de cualquier tipo. Por ejemplo, en un PC actual, con un módulo de UltraRAM de 2TB de almacenamiento tendríamos tanto memoria interna como memoria de acceso aleatorio.
Sin embargo, aunque la UltraRAM suena bien, es importante recordar que muchos otros han fracasado a la hora de llevar esta idea o similares al mercado, como la Intel Optane, la RAM resistiva o la RAM magnetorresistiva.
Por ahora, lo descrito por estos científicos solo es posible en el plano teórico. Los investigadores dicen que continuarán trabajando para tratar de “mejorar la calidad epitaxial, afinar el proceso de fabricación y escalar los dispositivos”.
Fuentes: Gizmodo, AdslZone y Computer Hoy
